Back to top
  • ca  transistor MOS, n m
  • es  transistor MOS
  • en  MOS transistor

Tecnologia electrònica

Definició
Transistor d'efecte de camp utilitzat com a interruptor en els circuits digitals i com a amplificador en els analògics. El tret distintiu d'aquest transistor és la presència d'una estructura ^metall-òxid-semiconductor^ en el terminal de porta. El corrent flueix entre el drenador i el sortidor a través d'un ^canal^ induït a la superfície del semiconductor que forma part de l'estructura ^MOS^. El canal s'indueix aplicant una tensió a la porta, que permet de controlar el corrent del drenador. El substrat on es fabrica el transistor, representat pel terminal B en el símbol, no s'utilitza com a terminal de senyal sinó per a polaritzar inversament les juncions PN de l'estructura. Hi ha dos tipus de transistors MOS: el de canal N, anomenat ^transistor NMOS^, i el de canal P, anomenat ^transistor PMOS^. En el cas que el transistor tingui un canal prefabricat es tracta d'un transistor de buidament, el qual permet que circuli corrent a través del canal sense necessitat d'aplicar tensió a la porta. Si no té aquest canal prefabricat, que és el cas més habitual, es tracta del transistor d'acumulació.
  • ca  transistor NMOS, n m
  • es  transistor MOS de canal N
  • es  transistor NMOS
  • en  NMOS transistor

Tecnologia electrònica

Definició
Transistor MOS de canal N, en què les regions de drenador i sortidor són de tipus N creades en un substrat P i poden ser connectades entre si a través d'un canal d'electrons induït per una tensió positiva aplicada a la porta.
  • ca  transistor NPN, n m
  • es  transistor NPN
  • en  NPN transistor

Tecnologia electrònica

Definició
Transistor bipolar format per una base de semiconductor P situada entre les dues regions N d'emissor i de col·lector.
  • ca  transistor PMOS, n m
  • es  transistor MOS de canal P
  • es  transistor PMOS
  • en  PMOS transistor

Tecnologia electrònica

Definició
Transistor MOS en què les regions de drenador i de sortidor són de tipus P creades en un substrat N i poden ser connectades entre si a través d'un canal induït per una tensió negativa aplicada a la porta. En aquest canal els portadors majoritaris són forats.
  • ca  transistor PNP, n m
  • es  transistor PNP
  • en  PNP transistor

Tecnologia electrònica

Definició
Transistor bipolar format per una base de semiconductor N, situada entre dues regions P, la d'emissor i la de col·lector.
  • ca  transistor d'efecte de camp, n m
  • ca  transistor unipolar, n m
  • ca  FET, n m sigla
  • es  transistor de efecto de campo
  • es  FET sigla
  • en  field effect transistor
  • en  FET sigla

Tecnologia electrònica

Definició
Dispositiu semiconductor de tres terminals, anomenats ^drenador^, ^porta^ i ^sortidor^. El corrent entre el drenador i el sortidor és controlat per un camp elèctric transversal creat per la tensió aplicada a la porta. Els principals tipus són el ^transistor MOS^, el ^transistor d'efecte de camp de junció^, el ^transistor d'efecte de camp metall-semiconductor^ i el ^transistor d'electrons d'alta mobilitat^.

Nota

  • La sigla FET correspon a la denominació anglesa field effect transistor.
  • ca  transistor VMOS, n m
  • es  transistor VMOS
  • en  VMOS transistor

Tecnologia electrònica

Definició
Transistor MOS en què la porta fa una incisió dins el substrat en forma de V.
  • ca  trànsit, n m
  • es  tráfico
  • en  traffic

Telemàtica

Definició
Quantitat d'informació transmesa a través d'un canal de comunicació.
  • ca  trànsit cursat, n m
  • es  tráfico cursado
  • en  carried traffic

Telemàtica

Definició
Trànsit admès per un sistema de comunicacions.
  • ca  trànsit de pic, n m
  • es  tráfico de pico
  • en  peak traffic

Telemàtica

Definició
Valor màxim de ^trànsit^ durant el període en què s'ha estat observant.