Torna al llistat dels Diccionaris en Línia

Diccionari de telecomunicacions

Presentació

Cerca bàsica

Cerca avançada

  • ca  transistor bipolar de porta aïllada, n m
  • ca  IGBT, n m sigla
  • es  transistor bipolar de puerta aislada
  • es  IGBT sigla
  • en  insulated gate bipolar transistor
  • en  IGBT sigla

Tecnologia electrònica

Definició
Dispositiu ^bipolar^ que pot controlar grans corrents amb tensions de petit valor.

Nota

  • La sigla IGBT correspon a la denominació anglesa insulated gate bipolar transistor.
  • ca  transistor d'efecte de camp, n m
  • ca  transistor unipolar, n m
  • ca  FET, n m sigla
  • es  transistor de efecto de campo
  • es  FET sigla
  • en  field effect transistor
  • en  FET sigla

Tecnologia electrònica

Definició
Dispositiu semiconductor de tres terminals, anomenats ^drenador^, ^porta^ i ^sortidor^. El corrent entre el drenador i el sortidor és controlat per un camp elèctric transversal creat per la tensió aplicada a la porta. Els principals tipus són el ^transistor MOS^, el ^transistor d'efecte de camp de junció^, el ^transistor d'efecte de camp metall-semiconductor^ i el ^transistor d'electrons d'alta mobilitat^.

Nota

  • La sigla FET correspon a la denominació anglesa field effect transistor.
  • ca  transistor d'efecte de camp de junció, n m
  • ca  JFET, n m sigla
  • es  transistor de efecto de campo de unión
  • es  JFET sigla
  • en  junction field effect transistor
  • en  JFET sigla

Tecnologia electrònica

Definició
Transistor d'efecte de camp en què el corrent de drenador a sortidor circula a través d'un canal que presenta una resistència controlada per la tensió que polaritza en inversa la junció entre la regió de porta i el canal.

Nota

  • La sigla JFET correspon a la denominació anglesa junction field effect transistor.
  • ca  transistor d'efecte de camp de porta aïllada, n m
  • ca  IGFET, n m sigla
  • es  transistor de efecto de campo de puerta aislada
  • es  IGFET sigla
  • en  insulated gate field effect transistor
  • en  IGFET sigla

Tecnologia electrònica

Definició
Transistor d'efecte de camp en què el terminal de porta està aïllat del canal mitjançant un dielèctric. Un cas particular és el ^transistor MOS^, en què l'aïllant que separa la porta del semiconductor és òxid de silici.

Nota

  • La sigla IGFET correspon a la denominació anglesa insulated gate field effect transistor.
  • ca  transistor d'efecte de camp metall-semiconductor, n m
  • ca  MESFET, n m sigla
  • es  transistor de efecto de campo metal-semiconductor
  • es  MESFET sigla
  • en  metal-semiconductor field effect transistor
  • en  MESFET sigla

Tecnologia de comunicació, Tecnologia electrònica

Definició
Transistor d'efecte de camp en què la modulació de la conductivitat del canal té lloc a partir de la tensió aplicada a la porta que forma un contacte Schottky (metall-semiconductor) amb el semiconductor. Se sol utilitzar en amplificadors d'alta freqüència (microones) i el semiconductor és habitualment un compost III-V, usualment d'arsenur de gal·li.

Nota

  • La sigla MESFET correspon a la denominació anglesa metal-semiconductor field effect transistor.
  • ca  transistor d'efecte de camp sensible als ions, n m
  • ca  ISFET, n m sin. compl.
  • es  ISFET
  • es  transistor de efecto de campo sensible a los iones
  • en  ion-sensitive field effect transistor
  • en  ISFET

Tecnologia electrònica

Definició
Transistor d'efecte de camp en què l'electròlit, que conté ions, substitueix la porta de metall o de polisicili del ^transistor MOS^. S'utilitza en electromedicina. És el dispositiu més representatiu de la família dels transistors d'efecte de camp químics.
  • ca  transistor d'electrons d'alta mobilitat, n m
  • ca  HEMT, n m sigla
  • es  transistor de electrones de alta movilidad
  • es  HEMT sigla
  • en  high electron mobility transistor
  • en  HEMT sigla

Tecnologia de comunicació, Tecnologia electrònica

Definició
Transistor d'efecte de camp que utilitza ^heterojuncions^ per a crear un ^pou quàntic^. Els electrons del canal estan confinats en aquest pou, on presenten una ^mobilitat^ extremament alta, la qual cosa permet d'amplificar senyals de molt alta freqüència.

Nota

  • La sigla HEMT correspon a la denominació anglesa high electron mobility transistor.
  • ca  transistor de capa prima, n m
  • es  transistor de capa fina
  • en  thin film transistor

Tecnologia electrònica

Definició
Transistor d'efecte de camp en el qual el substrat és una capa prima, generalment de polisilici, en lloc d'un monocristall. Es pot fabricar damunt d'una diversitat de suports, com ara una pantalla d'un visualitzador.
  • ca  transistor de pas, n m
  • es  transistor de paso
  • en  switch transistor

Tecnologia electrònica

Definició
Transistor utilitzat com a interruptor en el camí de senyal d'un circuit electrònic digital.
  • ca  transistor DMOS, n m
  • es  transistor DMOS
  • en  DMOS transistor

Tecnologia electrònica

Definició
Transistor MOS dissenyat per a aplicacions d'alta potència, el procés de fabricació del qual inclou una doble difusió per a crear un canal molt curt.

Nota

  • DMOS és una sigla que correspon a la denominació anglesa double metal-oxide-semiconductor ('semiconductor de metall i òxid doble').