Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Electrònica, Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Tecnologia electrònica
- ca transistor bipolar, n m
- en bipolar transistor
Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Electrònica, Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Tecnologia electrònica
Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Electrònica, Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Tecnologia electrònica
- ca transistor bipolar d'heterojunció, n m
- es transistor bipolar de heterounión
- en heterojunction bipolar transistor
Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Electrònica, Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Tecnologia electrònica
Definició
Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Electrònica, Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Tecnologia electrònica
- ca transistor bipolar de junció, n m
- ca BJT, n m sigla
- es transistor bipolar de unión
- es BJT sigla
- en bipolar junction transistor
- en BJT sigla
Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Electrònica, Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Tecnologia electrònica
Definició
Nota
- La sigla BJT correspon a la denominació anglesa bipolar junction transistor.
Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Electrònica, Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Tecnologia electrònica
- ca transistor bipolar de porta aïllada, n m
- ca IGBT, n m sigla
- es transistor bipolar de puerta aislada
- es IGBT sigla
- en insulated gate bipolar transistor
- en IGBT sigla
Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Electrònica, Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Tecnologia electrònica
Definició
Nota
- La sigla IGBT correspon a la denominació anglesa insulated gate bipolar transistor.
Ciències>Química>Química analítica, Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Electrònica, Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Tecnologia electrònica
- ca transistor d'efecte de camp, n m
- ca transistor unipolar, n m
- ca FET, n m sigla
- es transistor de efecto de campo
- es FET sigla
- en field effect transistor
- en FET sigla
Ciències>Química>Química analítica, Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Electrònica, Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Tecnologia electrònica
Definició
Nota
- La sigla FET correspon a la denominació anglesa field effect transistor.
Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Electrònica, Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Tecnologia electrònica
- ca transistor d'efecte de camp de junció, n m
- ca JFET, n m sigla
- es transistor de efecto de campo de unión
- es JFET sigla
- en junction field effect transistor
- en JFET sigla
Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Electrònica, Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Tecnologia electrònica
Definició
Nota
- La sigla JFET correspon a la denominació anglesa junction field effect transistor.
Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Electrònica, Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Tecnologia electrònica
- ca transistor d'efecte de camp de porta aïllada, n m
- ca IGFET, n m sigla
- es transistor de efecto de campo de puerta aislada
- es IGFET sigla
- en insulated gate field effect transistor
- en IGFET sigla
Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Electrònica, Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Tecnologia electrònica
Definició
Nota
- La sigla IGFET correspon a la denominació anglesa insulated gate field effect transistor.
Ciències>Química>Química analítica, Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Electrònica, Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Tecnologia electrònica
- ca transistor d'efecte de camp sensible als ions, n m
- ca ISFET, n m sin. compl.
- es ISFET
- es transistor de efecto de campo sensible a los iones
- en ion-sensitive field effect transistor
- en ISFET
Ciències>Química>Química analítica, Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Electrònica, Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Tecnologia electrònica
Definició
Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Tecnologia electrònica
- ca transistor de capa prima, n m
- es transistor de capa fina
- en thin film transistor
Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Tecnologia electrònica
Definició
Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Tecnologia electrònica
- ca transistor de pas, n m
- es transistor de paso
- en switch transistor
Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Tecnologia electrònica